點擊圖片查看大圖| 品牌/廠家 | 金谷氣體 | 化學(xué)名稱 | 叔丁基砷 |
| 產(chǎn)品等級 | 電子級 | 相對分子質(zhì)量 | 1.2 |
| 物理狀態(tài) | 無 | 含量 | 99.999 % |
| 用途 | 半導(dǎo)體、光纖、化工、電力、機械、光電、食品工業(yè)和科研領(lǐng)域。 | CAS | 7310-29-90 |
| 性狀 | 無 | 安全性 | 無 |
| 包裝規(guī)格 | 1 | 注意事項 | 無 |
| 儲存方法 | 無 | 產(chǎn)地 | 深圳 |
Precursors for deposition technologies (MOCVD, ALD...)
TBAs.EPI
Tertiarybutylarsine (EPIGRADE) 2x325g i
ncl. bubbler rental fee DOCK/100.400 - export license needed!
HS-Code material: 2931-90-80/HS-Code bubbler: 7310-29-90
Precursors
We offer several grades of precursors for deposition technologies (MOCVD, ALD...), up to the highest standards (Epitaxy).
| Dopant | Product name | Acronym |
| Al | Aluminumtrichloride | AlCl3 |
| Al | Diethylaluminumethoxide | DEALO |
| Al | Diethylaluminumhydride | DEAlH |
| Al | Dimethylaluminium i-propoxide | DMAliP |
| Al | Dimethylaluminumhydride | DMAlH |
| Al | Dimethylethylaminealane-adduct | DMEAAl |
| Al | Triethylaluminum | TEAL |
| Al | Tritertiarybutylaluminum | TTBAL |
| As | Arsenictrichloride | AsCL3 |
| As | Tertiarybutylarsine | TBAs |
| As | Triethoxyarsine | TEOAs |
| As | Trimethylarsine | TMAs |
| As | Tris(dimethylamino)arsine | TDMAAs |
| B | Borazine | Borazine |
| B | Triethylboron | TEB |
| B | Triethylboron B10 | TEB (B10) |
| B | Tritertiarybutylboron | TTBB |
| B | Triethylboron | TEB |
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